Acest articol încearcă să dea sens informaţiilor confuze referitoare la comportarea unui  MOSFET în timpul secvenţei de comutaţie, în numeroase articole tehnice.

Noi nu intenţionăm să explicăm fizica din spatele structurii MOSFET. Pentru cei interesaţi să afle mai mult despre structura MOSFET-ului, noi recomandăm articolele tehnice de la SGS-Thomson menţionate în referinţe .Scopul acestui articol este de a prezenta inginerului proiectant de surse în comutaţie date care îl vor ajuta în proiectare circuitului de comandă a MOSFET-urilor, calculul pierderilor estimate pentru evenimente critice, estimarea eficienţei sursei de alimentare, estimarea temperaturii joncţiunii pentru componentele critice şi diverse încărcări, şi pentru a ajuta de a lua o decizie în optimizarea proiectului.

Mai jos sânt formele de undă ,adesea intuitive referitoare la comutaţia deschis a MOSFET-ului (sarcină inductivă , diodă de clampare, comutaţie grea):

And now the comments:

• During t3r to t2r period, the Coss will charge with a current depending of the dV/dt associated with this period. This will decrease the actual current going through internal MOSFET channel, and therefore reducing the switching loss associated with this time interval.
• Q3, gate charge associated with drain voltage reaching Vx, is much smaller then Q3+Q4, commonly specified in a MOSFET datasheet.

Other Considerations:

• SMPS Power Supplies is using the above described correct theory regarding MOSFET switching to accurately calculate the switching losses in PFC hard switching and soft switching topologies. Combined with our accurate models for diodes (with voltage drop, reverse recovery time and reverse recovery current being functions of operating temperature, forward current, dI/dt), the design spreadsheets (ADH2450Des__.xls, ADH8100Des__.xls) are the most accurate design tools for designing and predicting the performances of a switching power supply.

Referinţe:

• Current at the time this article was last updated, not known articles specifically describing the MOSFET turn-OFF and power loss calculations. Most would incorrectly consider the turn-OFF as a mirror of turn-ON.

SMPS Proprietate Intellectuală

Acest articol conţine informaţii pentru care SMPS Power Supplies şi partenerii săi pot să aibe pretenţie la drepturi de Autor şi/sau Marcă Inregistrată şi poate fii subiectul unui patent . Deasemeni SMPS Power Supplies aşi partenerii săi pot avea pretenţie de statutul de "Primul Publicat" relativ la ideile publicate în acest site. Orice a treia parte poate menţiona părţi rezonablile din acest articol fără a ne contacta, presupunând că sursa este clar identificată şi un link către intregul articol este inclus. Dacă doriţi să încorporaţi informaţiile din acest articol într-un produs comercial,trebuie să ne contactaţi pentru a ne cere permisiunea.

• Prima redactare  a documentului intern: 19 Oct 1991
• Actualizare majoră, SMPS Power Supplies document intern: 10 Feb 1998
• Prima publicare pe Web: 3 Aug 2002
• Ultima actualizare: 3 Sep 2005