Acest articol încearcă să dea sens informațiilor confuze referitoare la comportarea unui  MOSFET în timpul secvenței de comutație, în numeroase articole tehnice.

Noi nu intenționăm să explicăm fizica din spatele structurii MOSFET. Scopul acestui articol este de a prezenta inginerului proiectant de surse în comutație date care îl vor ajuta în proiectare circuitului de comandă a MOSFET-urilor, calculul pierderilor estimate pentru evenimente critice, estimarea eficienței sursei de alimentare, estimarea temperaturii joncțiunii pentru componentele critice și diverse încărcări, și pentru a ajuta de a lua o decizie în optimizarea proiectului.

Evenimentele referitoare la comutația MOSFET-urilor sânt analizate pentru o sarcină inductivă, circuit cu diodă de clampare, singurul care se aplică la sursele de alimentare în comutație.Datele de catalog sau articolelele tehnice referitoare la sarcini rezistive au o relevanță mică sa niciuna pentru comutația MOSFET-ului în sursele de alimentare în comutație.Deasemeni articolul se referă la MOSFET-urile de 500V/600V ,cele mai folosite pentru sursele de alimentare în comutație.

Mai jos sânt formele de undă ,adesea intuitive referitoare la comutația închis MOSFET-ului (sarcină inductivă , diodă de clampare, comutație soft):

Și acum comentariile:

• Tensiunea de grilă are o creștere ascuțită la t1s datorată în principal  MOSFET-ului care începe să descarce capacitatea Coss și inductanței sursei MOSFET-ului .
• La t2s tensiunea de drenă va atinge Vx, usual în jurul 25V pentru MOSFETS-ului de 500V.
• Q3, sarcina porții asociată cu tensiunea de drenă atingând Vx, este mult mai mică decât Q3+Q4, comum specificat în foile de catalog ale MOSFET-ului .
• Notați schimbarea ordinii evenimentelor comparat cu comutația hard ! In circuitele cu comutația usoară prima dată Vds va cădea la un nivel scăzut inainte ca curentul de drenă să înceapă să crească, având ca consecință o scădere dramatică a pierderilor în comutație !

Olte Considerații:

• SMPS Power Supplies utilizează teoria corectă descrisă mai sus referitor la comutația MOSFET pentru a calcula cu precizie pierderile în comutație în etajul  PFC cu topologie comutație grea și ușoară. Combinat cu modelele noastre precise ale diodelor (cu cădere de tensiune, timpul invers de recuperare și curentul invers de recuperare funcție de temperatură, curentul direct, dI/dt), fișierul de proiectare(ADH2450Des__.xls, ADH8100Des__.xls) este cea mai precisă sculă de proiectare pentru proiectarea și predicția performanțelor sursei de alimentare în comutație.

Referințe:

• La momentul ultimei revizuiri a articolului, nu cunoaștem articole care descriu comutația ușoară starea închis a MOSFET-lui și calcule pentru pierderile de putere.

SMPS Proprietate Intellectuală

Acest articol conține informații pentru care SMPS Power Supplies și partenerii săi pot să aibe pretenție la drepturi de Autor și/sau Marcă Inregistrată și poate fii subiectul unui patent . Deasemeni SMPS Power Supplies ași partenerii săi pot avea pretenție de statutul de "Primul Publicat" relativ la ideile publicate în acest site. Orice a treia parte poate menționa părți rezonablile din acest articol fără a ne contacta, presupunând că sursa este clar identificată și un link către intregul articol este inclus. Dacă doriți să încorporați informațiile din acest articol într-un produs comercial,trebuie să ne contactați pentru a ne cere permisiunea.

• Prima redactare a documentului intern SMPS Power Supplies : 10 Feb 1998
• Prima publicare pe Web : 3 Aug 2002
• Ultima revizie : 3 Sep 2005