| |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Date intrare |
Vinn= |
230.0 |
Vrms |
Tensiunea nominală AC de intrare |
|
|
|
|
| |
Iinn= |
12.24 |
Arms |
Curentul
rms nominal de intrare |
|
|
|
|
| |
Irpkn= |
17.32 |
Apk |
Curentul
de virf nominal redresat de intrare. |
|
|
|
|
| |
Iravgn= |
11.02 |
Aavg |
Curentul
nominal mediu redresat |
|
|
|
|
| |
Ibpkn= |
20.13 |
Apk |
Curentul
nominal de virf mediu al inductanţei
boost,comutator şi diode |
|
|
|
|
| |
PF= |
0.9993 |
|
Factorul
de putere estimat @ sarcină maximă |
|
|
|
|
| |
Voutn= |
27.22 |
Vdc |
Tensiunea
nominală DC de ieşire |
|
|
|
|
| |
Ioutn= |
90.00 |
Adc |
Curentul
nominal de ieşire |
|
|
|
|
| |
Pomax= |
2,450 |
W |
Puterea
maximă de ieşire,etajul DC/DC |
|
|
|
|
| |
Iaux= |
56 |
mA |
Curentul
sursei auxiliare |
|
|
|
|
| |
Tamb= |
50.0 |
°C |
Temperatura
maximă ambiantă |
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
| Date ieşire |
Pin= |
2,814 |
W |
Puterea activă de intrare |
|
|
|
|
| |
Ppfc= |
2,689 |
W |
Puterea
maximă de ieşire , etajul PFC |
|
|
|
|
| |
Pinl= |
35.5 |
W |
Pierderi
totale ale etajului de intrare |
|
|
|
|
| |
Ppfcl= |
89.5 |
W |
Pierderi
totale ale etajului PFC |
|
|
|
|
| |
Pdcl= |
60.7 |
W |
Pierderi
totale ale etajului DC/DC |
|
|
|
|
| |
Poutl= |
156.1 |
W |
Pierderi
totale ale etajului de ieşire |
|
|
|
|
| |
Paul= |
22.8 |
W |
Pierderi
în circuitele auxiliare |
|
|
|
|
| |
Pm= |
39.9 |
W |
Pierderi
magnetice totale |
|
|
|
|
| |
Ps= |
243.6 |
W |
Pierderi
totale în semiconductoare |
|
|
|
|
| |
Ptl= |
364.6 |
W |
Pierderi
totale de putere |
|
|
|
|
| |
Effpfc= |
95.56 |
% |
Eficienţa
PFC (+ Etaj de intrare, + Aux) |
Măsurat:
XX.X % |
|
|
|
| |
Effdc= |
91.87 |
% |
Eficienţa
DC/DC (+ Etaj ieşire) |
Măsurat:
YY.Y % |
|
|
|
| |
Eff= |
87.04 |
% |
Randament
total |
Măsurat:
ZZ.Z % |
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
Etajul
de intrare Evaluarea pierderilor |
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
| Date intrare |
Rif= |
2.00 |
mOhm |
Rezistenţa în DC
a siguranţelor de intrare |
20A/250V/S/HC(*2) |
|
|
|
| |
Ricm1= |
7.57 |
mOhm |
Rezistenţa
DC ,a inductanţei de intrare CM 1 |
1mH (*2) |
|
|
|
| |
Ricm2= |
7.57 |
mOhm |
Rezistenţa
DC ,a inductanţei de intrare CM 2
|
1mH (*2) |
|
|
|
| |
Ridm= |
17.17 |
mOhm |
Rezistenţa
DC ,a inductanţei de intrare DM
|
30uH (*2) |
|
|
|
| |
Rbinlf= |
19.10 |
mOhm |
Calea de
intrare AC , frecvenţă joasă
|
|
|
|
|
| |
Vidb= |
0.89 |
V |
Căderea
de tensiune pe o diodă a punţii de
intrare @ Iinnpk |
1/4*D25XB60,
typ |
|
|
|
| |
Visb= |
0.89 |
V |
Căderea
de tensiune, un SCR al punţii de intrare
@ Iinnpk |
1/4*D25XB60,
typ |
|
|
|
| |
Rdthjc= |
2.00 |
°C/W |
Rezistenţa
termică joncţiune capsulă a diodelor
de intrare |
1/2*D25XB60 |
|
|
|
| |
Rdthcs= |
0.22 |
°C/W |
Rezistenţa
termică capsulă radiator a diodelor
de intrare |
1/2*D25XB60 |
|
|
|
| |
Rsthjc= |
2.00 |
°C/W |
Rezistenţa
termică joncţiune capsulă a SCRs
de intrate
|
1/2*D25XB60 |
|
|
|
| |
Rsthcs= |
0.22 |
°C/W |
Rezistenţa
termică capsulă radiator a SCRs
de intrate |
1/2*D25XB60 |
|
|
|
| |
Tidjx= |
125 |
°C |
Temperatura
maximă a joncţiunilor diodelor
de intrare |
D25XB60 |
|
|
|
| |
Tidj= |
125 |
°C |
Temperatura
actuală a joncţiunilor diodelor
de intrare |
Estimat |
|
|
|
| |
Tisjx= |
125 |
°C |
Temperatura
maximă a joncţiunilor SCRs
de intrare
|
D25XB60 |
|
|
|
| |
Tisj= |
125 |
°C |
Temperatura
actuală a joncţiunilor SCRs
de intrare |
Estimat |
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
| Date ieşire |
Pif= |
0.6 |
W |
Pierderi în
siguranţele de intrare |
2*MDA-V-20 |
|
|
|
| |
Picm1= |
2.3 |
W |
Pierderi
în inductanţa de intrare 1 CM |
|
|
|
|
| |
Picm2= |
2.3 |
W |
Pierderi
în inductanţa de intrare 2 CM |
|
|
|
|
| |
Pidm= |
5.1 |
W |
Pierderi
în inductanţa de intrare DM |
|
|
|
|
| |
Pbinlf= |
5.7 |
W |
Pierderi
în traseele etajului de intrare |
2 x 1/2 |
|
|
|
| |
Pidb= |
9.8 |
W |
Pierderi
în puntea de intrare |
1/2*D25XB60 |
|
|
|
| |
Pisb= |
9.8 |
W |
Pierderi
în puntea de intrare de SCR
|
1/2*D25XB60 |
|
|
|
| |
Pinu= |
35.5 |
W |
Pierderi
totale în etajul de intrare |
|
|
|
|
| |
Tdc= |
105 |
°C |
Temperatura
capsulelor diodelor |
|
|
|
|
| |
Tsc= |
105 |
°C |
Temperatura
capsulelor SCRs |
|
|
|
|
| |
Tdh= |
103 |
°C |
Temperatura
radiatorului diodelor |
|
|
|
|
| |
Tsh= |
103 |
°C |
Temperatura
radiatorului SCRs
|
|
|
|
|
| |
Ridthsx= |
5.46 |
°C/W |
Rezistenţa
termică maximă a radiatorului diodelor |
|
|
|
|
| |
Ridths= |
2.25 |
°C/W |
Rezistenţa
termică aleasă a radiatorului diodelor |
|
|
|
|
| |
Risthsx= |
5.46 |
°C/W |
Rezistenţa
termică maximă a radiatorului SCRs
|
|
|
|
|
| |
Risths= |
2.25 |
°C/W |
Rezistenţa
termică aleasă a radiatorului SCRs
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
Evaluarea
pierderilor etajului
|
PFC |
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
Date intrare
|
Vba= |
407.0 |
Vdc |
Tensiunea medie Boost
|
|
|
|
|
| |
fpfc= |
140 |
kHz |
Frecvenţa
de comutaţie a etajului PFC
|
|
|
|
|
| |
Iba= |
6.61 |
A |
Curentul
mediu de ieşire a etajului PFC |
|
|
|
|
| |
Iba= |
6.81 |
A |
Curentul
mediu de ieşire a etajului PFC |
Copie a
celulei
de mai sus
|
|
|
|
| |
Ibswn= |
6.9 |
Arms |
Curentul
rms al comutatoarelor la tensiunea
nominală a reţelei |
|
|
|
|
| |
Ibpkoff= |
16.5 |
Apk |
Curent
de virf,medie maxima,comutator inactiv
, dioda activa
|
|
|
|
|
| |
kf= |
1 |
|
1 pentru
comutaţie hard, 2 pentru soft
|
comutaţie
hard
|
|
|
|
| |
dIf/dt= |
1,042 |
A/us |
Panta
curentului pentru comutator închis,
max, trebuie aleasă < |
1259 |
|
|
|
| |
Lsnb= |
0.00 |
uH |
Inductanţa
snubber-ului boost
|
nu este
necesar
|
|
|
|
| |
dVd/dton= |
-23.0 |
kV/us |
SS
închis dV/dt pentru tensiune drena a
MOSFET-ului < |
nu este
necesar
|
|
|
|
| |
nd= |
1 |
|
numarul
diodelor boost
|
APT30DS60B |
|
|
|
| |
Vbd= |
2.83 |
V |
Căderea
de tensiune directă pe diode@ curent
de virf al reţelei |
APT30DS60B |
|
|
|
| |
Vbdfr= |
21.00 |
V |
Tensiunea
directă de recuperare a diodei |
APT30DS60B |
|
|
|
| |
Irrpk= |
21.8 |
A |
Curentul
de virf de recuperare al diodei Boost
|
APT30DS60B |
|
|
|
| |
trrx= |
30.0 |
ns |
Curentul
de recuperare al diodei Boost |
APT30DS60B |
|
|
|
| |
ta= |
20.9 |
ns |
|
APT30DS60B |
|
|
|
| |
tb= |
9.1 |
ns |
|
APT30DS60B |
|
|
|
| |
Rthjc= |
0.66 |
°C/W |
Rezistenţa
termică joncţiune-capsulă a diodelor
Boost
|
APT30DS60B |
|
|
|
| |
Rthcs= |
0.71 |
°C/W |
Rezistenţa
termică capsulă-radiator a diodelor
Boost |
APT30DS60B |
|
|
|
| |
Tjbdx= |
130 |
°C |
Temperatura
maximă a joncţiunii diodelor Boost
|
|
|
|
|
| |
Tjbd= |
135 |
°C |
Temperatura
joncţiunilor diodelor Boost
|
acelaş
radiator
cu BT |
|
|
|
| |
Tjbd= |
135 |
°C |
Temperatura
joncţiunii diodelor Boost
|
Copie a
celulei
de mai sus |
|
|
|
| |
nt= |
2 |
|
Numărul
de tranzistori
|
|
|
|
|
| |
Rdso= |
0.070 |
Ohm |
Rezistenţa
Rds on a MOSFET-ului, max @25°C |
SPW47N60S5 |
|
|
|
| |
Rds= |
0.072 |
Ohm |
Rezistenţa
Rds on actuală a
MOSFET-ului
|
SPW47N60S5 |
|
|
|
| |
Vgsth= |
6.50 |
V |
Pragul
tensiunii de poartă |
SPW47N60S5 |
|
|
|
| |
Vx= |
25.0 |
V |
Tensiunea
Vds @ t3 |
SPW47N60S5 |
|
|
|
| |
gfs= |
30.0 |
S |
Transconductanţa
directă
|
SPW47N60S5 |
|
|
|
| |
Q3= |
6.4 |
nC |
Sarcina
Porţii t2 -> t3 |
SPW47N60S5 |
|
|
|
| |
Cisu= |
8,360 |
pF |
Ciss @
Vds=Vba & Vgsth<Vgs<Vgsp |
SPW47N60S5 |
|
|
|
| |
Coer= |
233 |
pF |
Capacitatea
de ieşire a MOSFET @ Vba |
SPW47N60S5 |
|
|
|
| |
rg= |
8.70 |
Ohm |
Rezistenţa
intrinsecă a porţii tranzistorului
|
SPW47N60S5 |
|
|
|
| |
Ls= |
9.0 |
nH |
Inductanţa
sursei
|
SPW47N60S5 |
|
|
|
| |
Vgson= |
14.0 |
V |
Tensiunea
efectivă de poartă de saturaţie
|
|
|
|
|
| |
Vgsoff= |
-5.0 |
V |
Tensiunea
efectivă de poartă de blocare
|
|
|
|
|
| |
Vgst2->3= |
6.81 |
V |
Vgs
dela
t2b la t3 |
|
|
|
|
| |
Vgst2->3= |
6.81 |
V |
Vgs dela
t2b la t3 |
Copie a
celulei
de mai sus |
|
|
|
| |
Vgst2a= |
6.63 |
V |
Vgs
când
Id=Idiode |
|
|
|
|
| |
Vlsta= |
4.69 |
V |
Tensiunea
pe Ls în timpul saturaţiei , t1->t2 |
|
|
|
|
| |
t:1->2a= |
7.6 |
ns |
Timpul
de la inceperea creşterii Id până când Id atinge Idi |
|
|
|
|
| |
t:2->3= |
16.6 |
ns |
Timpul
de la începerea căderii Vds la valoarea
Vds=Vx |
Comutaţie
hard
|
|
|
|
| |
dVd/dton= |
-23.0 |
kV/us |
Panta
dV/dt (din blocare în saturaţie) a tensiunii
de drenă pentru
MOSFET
|
|
|
|
|
| |
Vsaton= |
0.6 |
V |
Tensiunea
de drenă în saturaţie
|
|
|
|
|
| |
Icossf= |
-5.3 |
A |
Curentul
Coss
în timpul căderii tensiunii
|
SPW47N60S5 |
|
|
|
| |
Rswonc= |
10.2 |
Ohm |
Rezistenţa
de grilă pentru saturaţie
|
Determinată
de dI/dt |
|
|
|
| |
Rswon= |
10.0 |
Ohm |
Rezistenţa
de grilă pentru saturaţie aleasă
|
=Rswonc |
|
|
|
| |
Rswoff= |
0.5 |
Ohm |
Rezistenţa
de grilă gate
pentru blocare aleasă
|
|
|
|
|
| |
Csf= |
0 |
pF |
Condensatorul
optim pentru snubberul
Boost
|
Nu este
necesar
|
|
|
|
| |
Csf= |
0 |
pF |
Condensatorul
snubber-ul Boost
|
Nu este
necesar |
|
|
|
| |
Vsatoff= |
1.2 |
V |
Tensiunea
de drenă înaintea comutaţiei de blocare
|
|
|
|
|
| |
Vgst3r= |
6.78 |
V |
Vgs @
t3r, înaintea inceperii creşterii Vds
|
Comutaţie
hard |
|
|
|
| |
t:3r->2r= |
10.8 |
ns |
Timpul
de la Vds=Vx la Vds=Vb |
Comutaţie
hard |
|
|
|
| |
dVd/dtoff= |
35.5 |
kV/us |
Panta
tensiunii de drenă dV/dt a MOSFET -lui comutaţie de blocare
|
|
|
|
|
| |
Icossr= |
8.27 |
A |
Curentul
Coss
în timpul creşterii tensiunii
|
|
|
|
|
| |
Icsf= |
0.00 |
A |
Curentul
Csf
în timpul creşterii tensiunii
|
nu este
prezent
|
|
|
|
| |
Icht3r->2r= |
0.00 |
A |
Curentul
canalului intern
|
|
|
|
|
| |
Vgst2r= |
6.50 |
V |
Vgs @
t2r, după ce Vds atinge Vb
|
Comutaţie
hard |
|
|
|
| |
dId/dt= |
-2,013 |
A/us |
Panta
curentului comutaţie de blocare
(canal intern !) |
|
|
|
|
| |
t:2r->1r= |
8.2 |
ns |
Timpul
de la care curentul canalului tinde de
la Id la zero
|
|
|
|
|
| |
Vlsoff= |
-9.06 |
V |
Tensiunea
pe inductanţa Ls în timpul comutaţiei
de blocare
|
|
|
|
|
| |
Rthjc= |
0.30 |
°C/W |
Rezistenţa
termică joncţiune capsulă a MOSFET(s)
|
SPW47N60S5 |
|
|
|
| |
Rthcs= |
0.71 |
°C/W |
Rezistenţa
termică capsulă radiator a MOSFET(s)
|
SPW47N60S5 |
|
|
|
| |
Tjbtx= |
125 |
°C |
Temperatura
maximă a joncţiunilor MOSFET(s)
|
|
|
|
|
| |
Tjbt= |
110 |
°C |
Temperatura
actuală a joncţiunilor MOSFET(s)
|
|
|
|
|
| |
Resrlf= |
63 |
mOhm |
Rezistenţa
ESR@100Hz,
a condensatorului boost
|
3*470uF |
|
|
|
| |
Resrhf= |
36 |
mOhm |
Rezistenţa
ESR@100kHz, a condensatorului boost |
3*470uF |
|
|
|
| |
Rspfc= |
15.0 |
mOhm |
Rezistenţa
şuntului PFC
|
|
|
|
|
| |
Rbpfchf= |
6.4 |
mOhm |
Rezistenţa
PCB calea înaltă frecvenţă a PFC
|
|
|
|
|
| |
Pbitl= |
12.4 |
W |
Pierderile
totale a inductorului Boost
I |
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
| Date ieşire |
Pt5= |
3.5 |
W |
Pierderi în conducţie
în MOSFET(s) |
|
|
|
|
| |
Pt1->2= |
5.5 |
W |
Pierderi
în comutaţia de saturare în MOSFET(s) |
Comutaţie
hard |
|
|
|
| |
Pt2a->2b= |
22.4 |
W |
Pierderi
în comutaţia de saturare în MOSFET
datorate diodei
|
|
|
|
|
| |
Pt2->2b= |
5.7 |
W |
Pierderi
în comutaţia de saturare datorate diodei
|
MOSFET(s)
+ Diode(s) |
|
|
|
| |
Pt4= |
3.9 |
W |
Pierderi
în comutaţia de blocare în MOSFET(s) |
|
|
|
|
| |
Pt5= |
5.4 |
W |
Pierderi
datorate descărcării capacităţii tranzistorului
|
|
|
|
|
| |
Ptr= |
43.5 |
W |
Pierderi
totale în comutatorele principale
|
|
|
|
|
| |
Pdc= |
19.3 |
W |
Pierderi
în conducţie în dioda Boost
|
|
|
|
|
| |
Pdoff= |
1.2 |
|
Pierderi
în comutaţia de blocare în dioda Boost
|
Recuperare
directă
|
|
|
|
| |
Pd= |
23.3 |
W |
Pierderi
totale în dioda principală
|
|
|
|
|
| |
Pdsn= |
2.3 |
W |
Pierderi
în diodele snubber-lui
|
|
|
|
|
| |
Pbs= |
69.1 |
W |
Pierderi
totale în semiconductoarele
PFC
|
|
|
|
|
| |
Tcbtx= |
118 |
°C |
Temperatura
maximă admisibilă a capsulei MOSFET(s)
|
|
|
|
|
| |
Thpfcx= |
103 |
°C |